ON FDM2509NZ
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)20V8.7A18 мОм @ 8,7 А, 4,5 В1,5 В @ 250 мкА
СравнитьFDM2509NZ
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FDM21-05QC with pin details manufactured by IXYS. The FDM21-05QC is available in MODULE Package, is part of the Module, N-Channel 500V 21A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC?, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC.
FDM2502 with circuit diagram manufactured by FAIRCHIL. The FDM2502 is available in MLP-8 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
8.7A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18mOhm @ 8.7A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
17nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1200pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
MicroFET 2x2 Thin Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDL100N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
FDLL4148-D87Z
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL914
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL4150
onsemi
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD80
FDLL300A
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL914
Fairchild Semiconductor
RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8.7A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 18 мОм @ 8,7 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 17nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1200пФ @ 10В
Максимальная мощность: 800 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-UDFN Открытая панель
Поставщик Упаковка устройства: MicroFET 2x2 Thin
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN