ON FDM6296
N-канальный30 V11,5A (Ta)3 В @ 250 мкА2,1 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDM6296
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33
₽12.61
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FDM606P with pin details manufactured by FAIRCHILD. The FDM606P is available in MLP-8 Package, is part of the IC Chips, P-Channel 20V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2), Trans MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-Pin MicroFET T/R.
FDM6269 with circuit diagram manufactured by FAI. The FDM6269 is available in POWER 33 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 10.5m|? at VGS = 10V, ID = 11.5A
Max rDS(on) = 15m|? at VGS = 4.5V, ID = 10A
Low Qg, Qgd and Rg for efficient switching performance
RoHS Compliant
Applications
Point of Load Converter
1/16 Brick Synchronous Rectifier
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDL100N50F
onsemi
MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
FDLL4148-D87Z
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL914
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL4150
onsemi
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD80
FDLL300A
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL914
Fairchild Semiconductor
RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 10,5 мОм @ 11,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 17 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2005 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,1 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-Power33 (3x3)
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23