ON FDMA1027PT
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)20V3A120 мОм @ 3А, 4,5 В1,3 В @ 250 мкА
СравнитьFDMA1027PT
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible.The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to linear mode applications.
Features
PowerTrench® Series? Battery management
? Load switch
? Battery protection
Surface Mount Mounting Type
Applications
? Max rDS(on) = 120 m: at VGS = -4.5 V, ID = -3.0 A
? Max rDS(on) = 160 m: at VGS = -2.5 V, ID = -2.5 A
? Max rDS(on) = 240 m: at VGS = -1.8 V, ID = -1.0 A
? Low profile - 0.55 mm maximum - in the new package
MicroFET 2x2 Thin
? RoHS Compliant
? Free from halogenated compounds and antimony
Oxides
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMA1027P
onsemi
MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
FDLL4148-D87Z
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL914
onsemi
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL4150
onsemi
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD80
FDLL300A
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
FDLL914
Fairchild Semiconductor
RECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
FDLL3595
onsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 3А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 435пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 700 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-VDFN с открытой площадкой
Поставщик Упаковка устройства: 6-MicroFET (2x2)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB