ON FDMA507PZ
P-канал20 V7,8 А (Ta)1,5 В @ 250 мкА2,4 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMA507PZ
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
₽49.01
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-stade resistance.The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal perfomance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 24 mΩ at VGS = -5 V, ID = -7.8 A
Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -7 A
Max rDS(on) = 35 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -5.5 A
Max rDS(on) = 45 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -4 A
Low Profile - 0.8 mm maximum - in the package MicroFET2X2 mm
HBM ESD protection level > 3.2K V typical (Note3)
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMA3028N
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
FDMA3027PZ
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
FDMA420NZ
onsemi
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
FDMA430NZ
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
FDMA2002NZ
onsemi
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
FDMA1029PZ
onsemi
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
FDMA3027PZ
Fairchild Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
FDMA3028N
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7,8 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 24 мОм @ 7,8 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 42 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2015 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP