ON FDMA86108LZ
N-канальный100 V2,2A (Ta)3 В @ 250 мкА2,4 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
₽96.06
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Fairchild Semiconductor FDMA86108LZ Single N-Channel PowerTrench� MOSFET delivers maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The device offers a low rDS(on) and gate charge to provide excellent switching performance. Available in a low profile 0.8mm maximum MicroFET 2x2mm package, the Fairchild Semiconductor FDMA86108LZ Single N-channel PowerTrench� MOSFET is ideal for DC-DC buck converters.
Features
PowerTrench® SeriesMax rDS(on) = 243 m|? at VGS = 10 V, ID = 2.2 A
Max rDS(on) = 366 m|? at VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A
Low Profile - 0.8 mm Maximum in the New Package MicroFET 2x2 mm
Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides
RoHS Compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2,2A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 243 мОм при 2,2 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 3 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 163 пФ при 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3