ON FDMC8588
N-канальный25 V16,5A (Ta), 40A (Tc)1,8 В @ 250 мкА2,4 Вт (Ta), 26 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMC8588
MOSFET N-CH 25V 16.5A/40A PWR33
₽68.14
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Features
PowerTrench® SeriesState-of-the-art switching performance
Lower output capacitance, gate resistance, and gate charge boost efficiency
Shielded gate technology reduces switch node ringing and increases immunity to EMI and cross conduction
RoHS Compliant
Lead Free
Applications
Switching Applications
High side switching for high end computing
High power density DC-DC synchronous buck converter
New Energy Vehicle
Photovoltaic Generation
Wind Power Generation
Smart Grid
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMC8360L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
FDMC8010
onsemi
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
FDMC8296
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
FDMC8327L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
FDMC8321L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
FDMC8030
onsemi
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33
FDMC8327L
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMC8296
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 16,5A (Ta), 40A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5 мОм @ 17 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,8 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 12 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±12V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1228 пФ @ 13 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Ta), 26 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Power33
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3