ON FDMS039N08B
N-канальный80 V19,4 А (Ta), 100 А (Tc)4,5 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMS039N08B
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
₽65.57
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesRDS(on) = 3.2 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 50 A
Low FOM RDS(on) *QG
Low Reverse Recovery Charge, Qrr = 80 NC
Soft Reverse Recovery Body Diode
Enables Highly Efficiency in Synchronous Rectification
Fast Switching Speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Applications
Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS0308AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS037N08B
onsemi
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
FDMS0312AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FDMQ86530L
onsemi
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
FDMS0312S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FDMS0309AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
FDMS0312S
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS0309AS
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 19,4 А (Ta), 100 А (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,9 мОм @ 50 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 100 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7600 пФ @ 40 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23