ON FDMT80040DC
N-канальный40 V420A (Tc)4 В @ 250 мкА156 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMT80040DC
MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
₽686.46
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual CoolTM package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Features
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)Max rDS(on) = 0.56 mΩ at VGS = 10 V, ID = 64 A
Max rDS(on) = 0.9 mΩ at VGS = 6 V, ID = 47 A
Advanced Package and Silicon Combination for Low rDS(on)and High Efficiency
Next Generation Enhanced Body Diode Technology, Engineered for Soft Recovery
Low Profile 8x8mm MLP Package
MSL1 Robust Package Design
100% UIL Tested
RoHS Compliant
Applications
Oring FET / Load Switch
Synchronous Rectification
DC-DC Conversion
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
ECMF06-6HSM16
STMicroelectronics
CMC 100MA 6LN SMD ESD
DS28E07P+T
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC
DS28E07Q+T
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TDFN
DS28E07+
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE TO92-3
F2932NBGP8
IDT, Integrated Device Technology Inc.
VFQFPN 4.00X4.00X0.90 MM, 0.65MM
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 420A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 0,56 мОм при 64 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 338 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 26110 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 156 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-Dual Cool™88
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6