ON FDMT80060DC
N-канальный60 V43A (Ta), 292A (Tc)4,5 В @ 250 мкА3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDMT80060DC
MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
₽1855.56
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual CoolTM package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Features
Dual Cool™, PowerTrench® SeriesAt VGS = 10 V, ID = 43 A, the maximum rDs(on) is 1.1 mQ.
At Vgs = 8 V, Id = 37 A, MaxDs(on)= 1.3 mQ.
Combination of advanced package and silicon for low rDS(on) and high efficiency
Engineered for gentle r ecovery, next generation enhanced body diode technology
8x8 mm MLP package with low profile
MSL1 is a strong package design.
UIL was tested to the nth degree.
RoHS (Restriction of Hazardous Substances) Compliant
Applications
Load Switching / OringFET
Synchronous Rectification
DC-DC Convergence
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Dual Cool™, PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 8 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,1 мОм @ 43 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 238 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 20170 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,2 Вт (Ta), 156 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-Dual Cool™88
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3