Все категории
Свяжитесь с нами
pусский
домашняя страница
Все категории
Дискретные полупроводниковые приборы
Одиночные транзисторы, МОП-транзисторы
FDN308P
FDN308P

ON FDN308P

P-канал20 V1,5 А (Ta)1,5 В @ 250 мкА500 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDN308P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDN308P Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽14.58

Обновление цены：несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses a rugged gate version of Fairchild’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V).

Features • –20 V, –1.5 A. Rds(on)= 125 mΩ@ Vgs= –4.5 V Rds(on)= 190 mΩ@ Vgs= –2.5 V • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low Rds(on)• SuperSOT -3 provides low RDS(ON)and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint

Features

PowerTrench® Series


  • Fast switching speed

  • High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

  • SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 

  • –20 V, –1.5 A. 



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power management

  • Load switch

  • Battery protection


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,5 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 125 мОм @ 1,5 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5,4 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±12V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 341 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Аналогичные детали：0
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Популярные номера деталей

Посмотреть все

Новosti в реальном времени

Посмотреть все

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Популярные продукты

01 / 02
10

Все номера деталей продукции 0 - Z