ON FDN361AN
N-канальный30 V1,8 А (Ta)3 В @ 250 мкА500 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
₽3.26
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
PowerTrench® Series1.8 A, 30 V. RDS(on) = 0.100 ?@ VGS = 10 V
RDS(on) = 0.150 ?@ VGS = 4.5 V.
Low gate charge ( 2.1nC typical ).
Fast switching speed.
High-performance trench technology for extremely low RDS(on).
High power version of industry-standard SOT-23 package. Identical pinout to SOT-23 with 30% higher power handling capability
Applications
DC/DC converter
Load switch
Motor drives
Fan Motor Drives
Enterprise Copiers
Set-top Boxes
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDN359BN
onsemi
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
FDN337N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
FDN358P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
FDN359AN
onsemi
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
FDN360P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
FDN360P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDN358P
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,8 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 100 мОм @ 1,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 4 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 220 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 500 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN