Свяжитесь с нами
pусский
FDP15N50

ON FDP15N50

N-канальный500 V15A (Tc)4 В @ 250 мкА300 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
onsemi
FDP15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
FDP15N50 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDP15N40 is MOSFET N-CH 400V 15A TO-220, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.063493 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-220-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 170 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 40 ns, and Rise Time is 55 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 30 V, and Id Continuous Drain Current is 15 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 400 V, and Rds On Drain Source Resistance is 300 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 72 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 26 ns, and Channel Mode is Enhancement.

The FDP150N10A is MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 manufactured by FAIRCHILD. The FDP150N10A is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3, N-Channel 100V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3.

Features

Tube Package


  • Low gate charge Qg results in a simple drive requirement(Typ. 33 nC)

  • Improved Gate, avalanche, and high re-applied dv/dt ruggedness

  • Reduced RDS(on) ( 330m? ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 7.5 A)

  • Reduced Miller capacitance and low Input capacitance(Typ. Crss = 16 pF)

  • Improved switching speed with low EMI

  • 175?? rated junction temperature



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Lighting

  • Uninterruptible Power Supply

  • AC-DC Power Supply

  • Power factor correction (PFC)

  • Flat panel display (FPD) TV power

  • ATX and electronic lamp ballasts


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 380 мОм @ 7,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 41 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1850 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 300 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.