ON FDP3652
N-канальный100 V9A (Ta), 61A (Tc)4 В @ 250 мкА150 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDP3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
₽145.70
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDP3632 is MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a FDP3632_NL Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.063493 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 310 W of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 46 ns, and the Rise Time is 39 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 80 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 7.5 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 96 ns, and Typical Turn On Delay Time is 30 ns, and the Channel Mode is Enhancement.
FDP3632-NL with circuit diagram manufactured by FSC. The FDP3632-NL is available in TO220 Package, is part of the IC Chips.
Features
PowerTrench® SeriesrDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A
Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V
Low Miller Charge
Low Qrr Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
Synchronous Rectification for ATX 1 Server 1 Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Micro Solar Inverter
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Трубка
Статус части: Не для новых разработок
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 16 мОм @ 61 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 53 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2880 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA