ON FDPC8013S
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)30V13A, 26A6,4 мОм @ 13 А, 10 В3 В @ 250 мкА
СравнитьFDPC8013S
MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM
₽56.39
Обновление цены：2025-03-19Гарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies. The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
Features
PowerTrench® Series
Q1 N-Channel
Max. RDS(on) = 9.6 m|? at VGS = 4.5 V, ID = 10 A
Q2 N-Channel
Max. RDS(on) = 2.7 m|? at VGS = 4.5 V, ID = 22 A
Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
RoHS Compliant
Applications
Distribution
Other Wired Communications
Computing
Communications
General Purpose Point of Load
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDPC4044
onsemi
MOSFET 2N-CH 8MLP
FDP8896
onsemi
MOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
FDP8874
onsemi
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
FDPC8012S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP
FDPC8011S
onsemi
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
FDP8N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FDP8N50NZ
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A, 26A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 6,4 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 827 пФ @ 15 В
Максимальная мощность: 800 мВт, 900 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
Поставщик Упаковка устройства: Powerclip-33
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC