ON FDPF5N50T
N-канальный500 V5A (Tc)5 В @ 250 мкА28 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьFDPF5N50T
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
₽16.86
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ Series
RDS(on) = 1.15? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.5A
Low gate charge ( Typ. 11nC)
Low Crss ( Typ. 5pF)
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
LCD / LED / PDP TV
Lighting
Uninterruptible Power Supplies
AC-DC Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDPF5N50NZU
onsemi
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
FDPF51N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
FDPF5N50FT
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FDPF3N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
FDPF5N50NZ
onsemi
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FDPF3N50NZ
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDPF5N50NZ
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDPF5N50FT
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDPF5N50NZU
onsemi
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,4 Ом @ 2,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 15 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 640 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 28 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220F-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN