Свяжитесь с нами
pусский
FDS4895C

ON FDS4895C

MOSFET (оксид металла)N- и P-каналы40V5,5A, 4,4A39 мОм @ 5,5 А, 10 В5 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
FDS4895C
MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
FDS4895C Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDS4885C is MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC, that includes PowerTrenchR Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the 8-SOIC Supplier Device Package, the device can also be used as N and P-Channel FET Type. In addition, the Power Max is 900mW, the device is offered in 40V Drain to Source Voltage Vdss, the device has a 900pF @ 20V of Input Capacitance Ciss Vds, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 7.5A, 6A, and Rds On Max Id Vgs is 22 mOhm @ 7.5A, 10V, and the Vgs th Max Id is 5V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 21nC @ 10V.

FDS4885L with circuit diagram manufactured by FSC. The FDS4885L is available in SOP-8 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
40V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.5A, 4.4A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39mOhm @ 5.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
10nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
410pF @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5,5A, 4,4A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 39 мОм @ 5,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 10nC @ 10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 410 пФ @ 20 В
Максимальная мощность: 900 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z