Свяжитесь с нами
pусский
FDS4935A

ON FDS4935A

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)30V7A23 мОм @ 7А, 10В3 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
FDS4935A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDS4935A Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽42.27

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Features

PowerTrench® Series

 

-7A, -30V

RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = -10V

RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5V

Low gate charge (15nC typical)

Fast switching speed

High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

High power and current handling capability


Surface Mount Mounting Type

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications.

Power Management

Load Switch

Battery Protection

 



Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 23 мОм @ 7А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 21nC @ 5V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1233пФ @ 15В
Максимальная мощность: 900 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z