Свяжитесь с нами
pусский
FDS6299S

ON FDS6299S

N-канальный30 V21A (Ta)3 В @ 1 мА3 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
FDS6299S Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽86.12

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDS6298 is MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC, that includes PowerTrench Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.006596 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in SOIC-Narrow-8, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Configuration is Single Quad Drain Triple Source, the device is offered in 1 N-Channel Transistor Type, the device has a 3 W of Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 7 ns, and the Rise Time is 5 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 13 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 30 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 7.4 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 27 ns, and Typical Turn On Delay Time is 11 ns, and the Forward Transconductance Min is 58 S, and Channel Mode is Enhancement.

FDS6298-NL with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDS6298-NL is available in SOP-8 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series


  •  21 A, 30 V. RDS(ON) = 3.9 m? @ VGS = 10 V  

                         RDS(ON) = 5.1 m? @ VGS = 4.5 V 

  • Includes SyncFET Schottky body diode  

  • High-performance trench technology for extremely low RDS(ON)  and fast switching 

  • High power and current handling capability 

  • 100% RG (Gate Resistance) tested 

  • Termination is Lead-free and RoHS Complia



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Notebook Vcore low-side switch 

  • Point of load low side switc

  • Cellular phones 

  • Laptop computers

  • Photovoltaic systems 

  • Wind turbines


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 21A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,9 мОм @ 21 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 81 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3880 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z