ON FDS6680S
N-канальный30 V11,5A (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS6680S
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
₽12.85
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.
Features
PowerTrench® SeriesLow RDS (on)
Low gate charge
Fast switching speed
Available in the SO-8 package
High power and current handling capability
Applications
DC-DC converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS6679
onsemi
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
FDS6680A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS6679AZ
onsemi
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
FDS6672A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS6675A
onsemi
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6676S
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
FDS6672A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
FDS6675A
onsemi
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6679AZ
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11,5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 11 мОм @ 11,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 24 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2010 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN