ON FDS6699S
N-канальный30 V21A (Ta)3 В @ 1 мА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
₽42.58
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6699S includes an integrated Schottky diode using a monolithic SyncFET technology.
Features
PowerTrench®, SyncFET™ Series21A, 30V
RDS(ON) = 3.6 mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) = 4.5 mΩ @ VGS = 4.5V
Includes SyncFET Schottky body diode
High-performance trench technology for extremely low RDS(ON) and fast switching
High power and current handling capability
100% RG (Gate Resistance) tested
Applications
Notebook Vcore low-side switch
Point of Load Low Side Switch
This product is general usage and suitable for many different applications.
Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®, SyncFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 21A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,6 мОм @ 21 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 91 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3610 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3