ON FDS86242
N-канальный150 V4.1A (Ta)4 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
₽22.76
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Features
PowerTrench® SeriesThis N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench? process that has been optimized for rDS(on), switching performance, and ruggedness.
Applications
Max rDS(on) = 67 m|? at VGS = 10 V, ID = 4.1 A
Max rDS(on) = 98m|? at VGS = 6 V, ID = 3.3 A
High-performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
100% UIL Tested
RoHS Compliant
FDS86242 Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
DC/DC Converters
Off-line UPS
Distributed Power Architectures and VRMs
Primary Switch for 24V and 48V Systems
High Voltage Synchronous Rectifier
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS86106
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
FDS7788
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FDS7760A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDS86240
onsemi
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
FDS8433A
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC
FDS7779Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
FDS7760A
onsemi
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDS7788
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FDS7779Z
onsemi
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
FDS8433A
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.1A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 67 мОм @ 4,1 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 760 пФ при 75 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA