Все категории
Свяжитесь с нами
pусский
домашняя страница
Все категории
Дискретные полупроводниковые приборы
Одиночные транзисторы, МОП-транзисторы
FDS8882
FDS8882

ON FDS8882

N-канальный30 V9A (Ta)3 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FDS8882 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽11.10

Обновление цены：несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDS8882 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.

Features

PowerTrench® Series


  • Max rDS(on) = 20.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A

  • Max rDS(on) = 22.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8 A

  • High-performance trench technology for extremely low rDS(on) and fast switching

  • High power and current handling capability

  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Notebook System Regulators

  • cellular phones 

  • laptop computers

  • photovoltaic systems 

  • wind turbines

  • shunt voltage regulator and the series voltage regulator


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 9А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 940 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Аналогичные детали：0
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Популярные номера деталей

Посмотреть все

Новosti в реальном времени

Посмотреть все

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Популярные продукты

01 / 02
10

Все номера деталей продукции 0 - Z