ON FDT1600N10ALZ
N-канальный100 V5.6A (Tc)2,8 В @ 250 мкА10,42 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
₽42.50
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesLow gate charge
Low on-state resistance
Improved dv/dt capability
Advanced switching performance
Available in the SOT-223 package
Applications
LED TV and monitor
Micro solar inverter
Consumer appliances
Synchronous rectification
Uninterruptible power supply
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS9933BZ
onsemi
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
FDS9953A
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDSS2407
onsemi
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDS9945
onsemi
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
FDS9934C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
FDS9933BZ
onsemi
P-CHANNEL POWER MOSFET
FDSS2407
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDS9431
Fairchild Semiconductor
P CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
FDS9945
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS9953A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS9934C
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5.6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 160 мОм @ 2,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,8 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 3,77 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 225 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 10,42 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223-4
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA