ON FDT3612
N-канальный100 V3,7A (Ta)4 В @ 250 мкА3 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDT3612
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Нет технического описания
₽10.97
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Features
PowerTrench® SeriesFast switching speed
Low gate charge (14nC typ)
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Applications
DC/DC converter
Motor driving
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS9933BZ
onsemi
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
FDS9953A
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDSS2407
onsemi
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDS9945
onsemi
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
FDS9934C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
FDS9933BZ
onsemi
P-CHANNEL POWER MOSFET
FDSS2407
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDS9431
Fairchild Semiconductor
P CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
FDS9945
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS9953A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS9934C
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3,7A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 3,7 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 632 пФ @ 50 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223-4
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23