ON FDT457N
N-канальный30 V5A (Ta)3 В @ 250 мкА3 Вт (Ta)-65°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDT457N
MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
₽76.82
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
60mOhm @ 5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
5.9 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
235 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDS9933BZ
onsemi
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
FDS9953A
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
FDSS2407
onsemi
MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC
FDT434P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
FDS9945
onsemi
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
FDS9934C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
FDS9933BZ
onsemi
P-CHANNEL POWER MOSFET
FDSS2407
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDS9945
onsemi
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDS9953A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS9934C
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDT434P
onsemi
6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MO
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 60 мОм @ 5А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5,9 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 235 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3 Вт (Ta)
Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223-4
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23