Свяжитесь с нами
pусский
FGB40T65SPD-F085

ON FGB40T65SPD-F085

650 V80 A970 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.)-55°C ~ 175°C (TJ)TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB

Сравнить
onsemi
FGB40T65SPD-F085
IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽932.45

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FGB40N60SM is IGBT 600V 80A 349W D2PAK, that includes Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a 0.046296 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Input Type is designed to work in Standard, as well as the Surface Mount Mounting Type, the device can also be used as TO-263AB (D2PAK) Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 349W Power Max, the device has a 80A of Current Collector Ic Max, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 600V, and the IGBT Type is Field Stop, and Current Collector Pulsed Icm is 120A, and the Vce on Max Vge Ic is 2.3V @ 15V, 40A, and Switching Energy is 870μJ (on), 260μJ (off), and the Gate Charge is 119nC, and Td on off 25°C is 12ns/92ns, and the Test Condition is 400V, 40A, 6 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 349 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 600 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 2.3 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 80 A, and Gate Emitter Leakage Current is +/- 400 nA, and the Maximum Gate Emitter Voltage is +/- 20 V.

The FGB40N6S2 is IGBT 600V 75A 290W TO263AB, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a TO-263AB Supplier Device Package, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Input Type is designed to work in Standard, as well as the 8ns/35ns Td on off 25°C, the device can also be used as 75A Current Collector Ic Max. In addition, the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 600V, the device is offered in 390V, 20A, 3 Ohm, 15V Test Condition, the device has a 35nC of Gate Charge, and Power Max is 290W, and the Vce on Max Vge Ic is 2.7V @ 15V, 20A, and Current Collector Pulsed Icm is 180A, and the Switching Energy is 115μJ (on), 195μJ (off).

Features

Tape & Reel (TR) Package

Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.0 V (Typ.) @ IC = 40 A

100% of the Parts are Dynamically Tested *

Short Circuit Ruggedness > 5 s @ 25°C

Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

Fast Switching

Tight Parameter Distribution

Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

Copacked with Soft, Fast Recovery Diode

AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

This Device is Pb?Free and RoHS Compliant

* VCC = 400 V, VGE = 15 V, IC = 120 A, RG = 20 , Inductive Load



Surface Mount Mounting Type

Applications

Onboard Charger

AirCon Compressor

PTC Heater

Motor Drivers

Other Automotive Power?train and Auxiliary Applications



Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип IGBT: Полевая остановка в траншее
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 650 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 80 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 120 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 2.4V @ 15V, 40A
Максимальная мощность: 267 W
Переключение энергии: 970 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 36 nC
Время задержки включения/выключения при 25°C: 18нс/35нс
Условия испытаний: 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 34 нс
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z