
ON FQPF9N50C
N-канальный500 V9A (Tc)4 В @ 250 мкА44 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
Сравнить






Цена договорная
Обновление цены:несколько месяцев назадГарантия качества Bostock







Overview
The FQPF9N25CYDTU is MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.090478 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-220-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 38 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 65 ns, and Rise Time is 85 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 30 V, and Id Continuous Drain Current is 8.8 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 250 V, and Rds On Drain Source Resistance is 430 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 90 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 15 ns, and Channel Mode is Enhancement.
The FQPF9N50 is MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F manufactured by KERSEMI. The FQPF9N50 is available in TO-220-3 Full Pack Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F, N-Channel 500V 5.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F, Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail.
Features
QFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
500 V Drain to Source Voltage (Vdss)
9A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
800mOhm @ 4.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
35 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
1030 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
44W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
- Стоимость фрахта начинается с $40, но цены в некоторых странах, таких как ЮжнаяАфрика, Бразилия, Индия, Пакистан и Израиль, могут отличаться.
- Основные расходы на перевозку посылок весом 0,5 кг или эквивалентного объема зависят от часовых поясов и страны.
- В настоящее время наша продукция поставляется с использованием DHL, SF и UPS. Для меньшего числа авиакомпаний FedEx является предпочтительным вариантом.
- После отгрузки предполагаемое время доставки зависит от выбранного метода перевозки.
Подготовить продукт

вакуумная упаковка

антистатический пакет

индивидуальная упаковка

упаковочная коробка

штрихкод этикетка для доставки


FQPF9N25C
onsemi
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F

FQPF85N06
onsemi
MOSFET N-CH 60V 53A TO220F

FQPF7P20
onsemi
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F

FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F

FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F

FQPF7P06
onsemi
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F

FQPF9N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F

FQPF9N25C
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Популярные номера деталей
SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.52В наличии :154367NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.47В наличии :182760MBRS3100T3G
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
₽11.65В наличии :378225S310FA
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
₽28.53В наличии :100456MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽1.00В наличии :1434238
MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.12В наличии :1273873MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.22В наличии :526462MURS120T3G
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
₽4.71В наличии :1770950MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽7.05В наличии :837533MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽205.80В наличии :27340
SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.52В наличии :154367NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.47В наличии :182760MBRS3100T3G
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
₽11.65В наличии :378225S310FA
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
₽28.53В наличии :100456MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽1.00В наличии :1434238
MMSZ4684T1G
DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
₽1.12В наличии :1273873MBRM140T1G
DIODE SCHOTTKY 40V 1A POWERMITE
₽5.22В наличии :526462MURS120T3G
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
₽4.71В наличии :1770950MBRS360T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
₽7.05В наличии :837533MBRB60H100CTT4G
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
₽205.80В наличии :27340
SS16T3G
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
₽4.52В наличии :154367NSVBAS21TMR6T1G
DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
₽4.47В наличии :182760MBRS3100T3G
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
₽11.65В наличии :378225S310FA
DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123FA
₽28.53В наличии :100456MMSZ5231BT1G
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
₽1.00В наличии :1434238
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3