Свяжитесь с нами
pусский
FW282-TL-E

ON FW282-TL-E

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)35V6A37 мОм @ 6А, 10В

Сравнить
onsemi
FW282-TL-E
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP
FW282-TL-E Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

FW276-TL-2H with pin details, that includes Digi-ReelR Packaging, they are designed to operate with a 0.019048 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Technology is designed to work in Si, it has an Operating Temperature range of 150°C (TJ), the device can also be used as Surface Mount Mounting Type. In addition, the Number of Channels is 2 Channel, the device is offered in 8-SOIC Supplier Device Package, the device has a Dual of Configuration, and FET Type is 2 N-Channel (Dual), and the Power Max is 1.6W, and Transistor Type is 2 N-Channel, and the Drain to Source Voltage Vdss is 450V, and Input Capacitance Ciss Vds is 55pF @ 20V, and the FET Feature is Logic Level Gate, and Current Continuous Drain Id 25°C is 700mA, and the Rds On Max Id Vgs is 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, and Vgs th Max Id is 4.5V @ 1mA, and the Gate Charge Qg Vgs is 3.7nC @ 10V, and Pd Power Dissipation is 1.6 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Fall Time is 46 ns, and Rise Time is 10 ns, and the Vgs Gate Source Voltage is 30 V, and Id Continuous Drain Current is 700 mA, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 450 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 4.5 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 12.1 Ohms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 15 ns, and Typical Turn On Delay Time is 7 ns, and the Qg Gate Charge is 3.7 nC.

FW261-TL-E with circuit diagram manufactured by SANYO. The FW261-TL-E is available in SOP8 Package, is part of the IC Chips.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
35V Drain to Source Voltage (Vdss)
6A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
37mOhm @ 6A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
10nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
470pF @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.2W Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 35V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 37 мОм @ 6А, 10В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 10nC @ 10 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 470 пФ @ 20 В
Максимальная мощность: 2.2W
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,173", 4,40 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOP
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z