Свяжитесь с нами
pусский
HGTG11N120CN

ON HGTG11N120CN

1200 V43 A400 мкДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.)-55°C ~ 150°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
onsemi
HGTG11N120CN
N-CHANNEL IGBT
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽53.70

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The HGTG10N120BND is IGBT 1200V 35A 298W TO247, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a HGTG10N120BND_NL Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.225401 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-247-3, as well as the Standard Input Type, the device can also be used as Through Hole Mounting Type. In addition, the Supplier Device Package is TO-247, the device is offered in Single Configuration, the device has a 298W of Power Max, and Reverse Recovery Time trr is 70ns, and the Current Collector Ic Max is 35A, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 1200V, and the IGBT Type is NPT, and Current Collector Pulsed Icm is 80A, and the Vce on Max Vge Ic is 2.7V @ 15V, 10A, and Switching Energy is 850μJ (on), 800μJ (off), and the Gate Charge is 100nC, and Td on off 25°C is 23ns/165ns, and the Test Condition is 960V, 10A, 10 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 298 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1200 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 2.45 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 17 A, and Gate Emitter Leakage Current is +/- 250 nA, and the Maximum Gate Emitter Voltage is +/- 20 V, and Continuous Collector Current Ic Max is 35 A.

HGTG11N120BND with circuit diagram manufactured by FSC. The HGTG11N120BND is available in TO-3P Package, is part of the IC Chips.

Features

Tube Package
NPT IGBT Type
1200 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
43 A Current - Collector (Ic) (Max)
80 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.4V @ 15V, 11A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
298 W Power - Max
400µJ (on), 1.3mJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
100 nC Gate Charge
23ns/180ns Td (on/off) @ 25°C
960V, 11A, 10Ohm, 15V Test Condition
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип IGBT: NPT
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 1200 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 43 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 80 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 2,4 В @ 15 В, 11 А
Максимальная мощность: 298 W
Переключение энергии: 400 мкДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 100 нК
Время задержки включения/выключения при 25°C: 23нс/180нс
Условия испытаний: 960 В, 11 А, 10 Ом, 15 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: ТО-247
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z