ON HUF75339P3
N-канальный55 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА200 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьHUF75339P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
₽74.78
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
Features
UltraFET™ Series75 A 、 55 V
Peak current and pulse width curve
UIS rating curve
Related literature
TB334 Guide for welded Surface Mount components for PC panels
Applications
AC-DC commercial power supply-servers and workstations
Workstation
Servers and mainframes
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
HUF75332P3
onsemi
MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
HUF75329P3
onsemi
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
HUF75333P3
onsemi
MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
HUF75337P3
Intersil
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
HUF75329D3ST
onsemi
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
HUF75333P3
onsemi
MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
HUF75329P3
onsemi
MOSFET N-CH 55V 42A TO220-3
HUF75337P3
Intersil
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 12 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 130 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2000 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA