ON HUF75652G3
N-канальный100 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА515 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьHUF75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
₽127.90
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
Features
UltraFET™ SeriesUltra-Low On-Resistance: 0.008?, VGS = 10V
Temperature Compensated PSPICE? and SABER? Electrical Models
Spice and SABER Thermal Impedance Models
Peak Current vs Pulse Width Curve
UIS Rating Curve
Pb-Free and Halogen Free
RoHS compliant
Applications
AC-DC Merchant Power Supply
Workstations
Servers
Mainframe
Fast Switching Applications
LLC Resonant Converters
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
HUF75645S3ST
onsemi
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
HUF75542P3
onsemi
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
HUF75545S3
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
HUF75645P3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
HUF75545P3
onsemi
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
HUF75639G3
onsemi
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
HUF75545P3
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
HUF75542P3
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
HUF75545S3
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
HUF75645P3
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
HUF75639G3
onsemi
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 475 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7585 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 515 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6