ON HUFA75344G3
N-канальный55 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА285 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьHUFA75344G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
HUFA75339P with pin details manufactured by FAIRCHILD. The HUFA75339P is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.
The HUFA75343S3S is MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK manufactured by FSC. The HUFA75343S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail.
Features
UltraFET™ Seriesa continuous drain current (ID) of 75A
a drain-to-source breakdown voltage of 55V voltage
the turn-off delay time is 46 ns
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
HUFA75344G3 applications of single MOSFETs transistors.
- LCD/LED TV
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
HUFA75307T3ST
onsemi
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
HUF76639S3S
onsemi
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
HUFA75329D3S
onsemi
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
HUF76633S3S
onsemi
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
HUF76633S3S
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
HUF76639S3S
onsemi
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
HUFA75307T3ST
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 210 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3200 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 285 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
Упаковка / Кейс: TO-247-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP