ON IRFS350A
N-канальный400 V11,5A (Tc)4 В @ 250 мкА92 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIRFS350A
MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
IRFS350=IRFS350A with pin details manufactured by FSC. The IRFS350=IRFS350A is available in TO-3PF Package, is part of the IC Chips.
IRFS3507PBF with circuit diagram manufactured by IR. The IRFS3507PBF is available in TO263 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tube PackageAvalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10|ìA (Max.) @ VDS = 400V
Low RDS(ON): 0.254? (Typ.)
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
IRFS3306PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFS3107TRL7PP
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRFS3307ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IRFS3307
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
IRFS3206PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRFS3306PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 400 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 11,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 300 мОм @ 5,75 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 131 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2780 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 92 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-3PF
Упаковка / Кейс: TO-3P-3 Полный комплект
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET