Свяжитесь с нами
pусский
IRFS450B

ON IRFS450B

N-канальный500 V9,6A (Tc)4 В @ 250 мкА96 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
onsemi
IRFS450B
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF
IRFS450B Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽72.90

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The IRFS4410ZTRLPBF is MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 230 W Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, and Fall Time is 57 ns, and the Rise Time is 52 ns, and Id Continuous Drain Current is 97 A, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 4 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 9 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Qg Gate Charge is 120 nC, and Forward Transconductance Min is 140 S.

IRFS4429STRRPBF with circuit diagram manufactured by IR. The IRFS4429STRRPBF is available in SOT263 Package, is part of the IC Chips.

Features

Tube Package


  • 9.6A, 500V, RDS(on) = 0.39? @VGS = 10 V

  • Low gate charge ( typical 87 nC)

  • Low Crss ( typical 60 pF)

  • Fast switching

  • 100% avalanche tested

  • Improved dv/dt capability



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial



Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 500 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 9,6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 390 мОм @ 4,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 113 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3800 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 96 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-3PF
Упаковка / Кейс: TO-3P-3 Полный комплект
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z