ON IRFU120ATU
N-канальный100 V8.4A (Tc)4 В @ 250 мкА2,5 Вт (Ta), 32 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIRFU120ATU
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IRFU1205PBF is MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as IPAK-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as 1 N-Channel Transistor Type. In addition, the Pd Power Dissipation is 69 W, the device is offered in 20 V Vgs Gate Source Voltage, the device has a 37 A of Id Continuous Drain Current, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 55 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 27 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Qg Gate Charge is 43.3 nC.
The IRFU120A is MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK manufactured by IR. The IRFU120A is available in TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK.
Features
Tube Packagea continuous drain current (ID) of 8.4A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 36 ns
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
IRFU120ATU applications of single MOSFETs transistors.
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 8.4A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 200 мОм @ 4,2A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 22 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 480 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta), 32 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: I-PAK
Упаковка / Кейс: TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23