ON IRL540A
N-канальный100 V28A (Tc)2 В @ 250 мкА121 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьIRL540A
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The IRL530STRL is MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK manufactured by IR. The IRL530STRL is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK, N-Channel 100V 15A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK.
The IRL540 is MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB manufactured by IR. The IRL540 is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB, N-Channel 100V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB, Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220.
Features
Tube Packagelow power electronic devices
Applications
Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current:10uA(Max.) VDs=100V+Lower RDSION):0.046Ω(Typ.)
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 28A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 58 мОм @ 14 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 54 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1580 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 121 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET