ON ISL9N302AS3ST
N-канальный30 V75A (Tc)3 В @ 250 мкА345 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьISL9N302AS3ST
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ISL9N2357D3S with pin details manufactured by FSC. The ISL9N2357D3S is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.
The ISL9N302AP3 is MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB manufactured by FAIRCHILD. The ISL9N302AP3 is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB, N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-220AB, Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube.
Features
UltraFET™ SeriesQg (Typ) = 110nC, VGS = 5V
Qgd (Typ) = 31nC
CISS (Typ) = 11000pF
Fast switching
rDS(ON) = 0.0019? (Typ), VGS = 10V
rDS(ON) = 0.0027? (Typ), VGS = 4.5V
Applications
DC/DC converters
Switch Mode Power Supplies (SMPS)
Power-Over-Ethernet (PoE)
Solar inverters
Automotive applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UltraFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,3 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 300 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 11000 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 345 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23