Свяжитесь с нами
pусский
J271

ON J271

30 VК-226-3, К-92-3 (К-226АА)

Сравнить
onsemi
J271
JFET P-CH 30V TO92-3
J271 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽11.92

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The J270 is JFET P-CH 30V 0.35W TO92, that includes Bulk Packaging, they are designed to operate with a 0.016000 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Technology is designed to work in Si, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as TO-92-3 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in P-Channel FET Type, the device has a 350mW of Power Max, and Voltage Breakdown V BRGSS is 30V, and the Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 2mA @ 15V, and Voltage Cutoff VGS off Id is 500mV @ 1nA, and the Pd Power Dissipation is 360 mW, and Id Continuous Drain Current is 5 mA, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 10 V, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Forward Transconductance Min is 6 mS, and Vgs Gate Source Breakdown Voltage is - 30 V, and the Gate Source Cutoff Voltage is 2 V.

J270_D27Z with circuit diagram, that includes 2mA @ 15V Current Drain Idss Vds Vgs=0, they are designed to operate with a P-Channel FET Type, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads), Packaging is designed to work in Tape & Reel (TR), as well as the 350mW Power Max, the device can also be used as TO-92-3 Supplier Device Package. In addition, the Voltage Breakdown V BRGSS is 30V, the device is offered in 500mV @ 1nA Voltage Cutoff VGS off Id.

Features

Bulk Package
30 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
6 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.5 V @ 1 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
350 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 1,5 В @ 1 нА
Максимальная мощность: 350 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: К-226-3, К-92-3 (К-226АА)
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z