Свяжитесь с нами
pусский
KST5550MTF

ON KST5550MTF

NPN600 мА140 V

Сравнить
onsemi
KST5550MTF
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
KST5550MTF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽3.71

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The KST5401MTF is TRANS PNP 150V 0.5A SOT-23, that includes Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a KST5401MTF_NL Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.002116 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, as well as the Surface Mount Mounting Type, the device can also be used as SOT-23-3 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 350mW Power Max, the device has a PNP of Transistor Type, and Current Collector Ic Max is 500mA, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 150V, and DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 60 @ 50mA, 5V, and the Vce Saturation Max Ib Ic is 500mV @ 5mA, 50mA, and Current Collector Cutoff Max is 50nA (ICBO), and the Frequency Transition is 300MHz, and Pd Power Dissipation is 350 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, and Collector Emitter Voltage VCEO Max is - 150 V, and the Transistor Polarity is PNP, and Collector Emitter Saturation Voltage is - 0.5 V, and the Collector Base Voltage VCBO is - 160 V, and Emitter Base Voltage VEBO is - 5 V, and the Maximum DC Collector Current is 0.5 A, and Gain Bandwidth Product fT is 300 MHz, and the Continuous Collector Current is - 0.5 A, and DC Collector Base Gain hfe Min is 60, and the DC Current Gain hFE Max is 240.

KST55 with circuit diagram manufactured by SAMSUNG. The KST55 is available in SOT-23SC-59 Package, is part of the IC Chips.

Features

Tape & Reel (TR) Package
the DC current gain for this device is 60 @ 10mA 5V
a collector emitter saturation voltage of 250mV
the vce saturation(Max) is 250mV @ 5mA, 50mA
the emitter base voltage is kept at 6V
the current rating of this device is 600mA
a transition frequency of 100MHz

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
KST5550MTF applications of single BJT transistors.

  • Inverter
  • Interface
  • Driver
  • Muting
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип транзистора: NPN
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 600 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 140 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 250 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток - отключение коллектора (макс.): 100 нА (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 60 @ 10 мА, 5 В
Максимальная мощность: 350 мВт
Частота - Переход: 300 МГц
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z