Свяжитесь с нами
pусский
NGTB40N120LWG

ON NGTB40N120LWG

1200 V80 A5,5 мДж (вкл.), 1,4 мДж (выкл.)-55°C ~ 150°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
onsemi
NGTB40N120LWG
IGBT 1200V 40A TO247
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NGTB40N120FLWG is IGBT 1200V 40A TO247, that includes NGTB40N120FL Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.229281 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-247-3, as well as the Standard Input Type, the device can also be used as Through Hole Mounting Type. In addition, the Supplier Device Package is TO-247, the device is offered in Single Configuration, the device has a 260W of Power Max, and Reverse Recovery Time trr is 200ns, and the Current Collector Ic Max is 80A, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 1200V, and the IGBT Type is Trench Field Stop, and Current Collector Pulsed Icm is 160A, and the Vce on Max Vge Ic is 2.2V @ 15V, 40A, and Switching Energy is 2.6mJ (on), 1.6mJ (off), and the Gate Charge is 415nC, and Td on off 25°C is 130ns/385ns, and the Test Condition is 600V, 40A, 10 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 260 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1200 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 2 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 80 A, and Gate Emitter Leakage Current is 200 nA, and the Maximum Gate Emitter Voltage is 25 V.

NGTB40N120IHRWG with circuit diagram, that includes 2.3 V Collector Emitter Saturation Voltage, they are designed to operate with a 1200 V Collector Emitter Voltage VCEO Max, Configuration is shown on datasheet note for use in a Single, that offers Continuous Collector Current at 25 C features such as 80 A, Current Collector Ic Max is designed to work in 80A, as well as the 120A Current Collector Pulsed Icm, the device can also be used as 225nC Gate Charge. In addition, the Gate Emitter Leakage Current is 100 nA, the device is offered in Trench Field Stop IGBT Type, the device has a Standard of Input Type, and Maximum Gate Emitter Voltage is 25 V, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 40 C, and the Mounting Type is Through Hole, and Mounting Style is Through Hole, and the Package Case is TO-247-3, and Packaging is Tube, and the Pd Power Dissipation is 384 W, and Power Max is 384W, and the Series is NGTB40N120IHR, and Supplier Device Package is TO-247, and the Switching Energy is 950μJ (off), and Td on off 25°C is -/230ns, and the Test Condition is 600V, 40A, 10 Ohm, 15V, and Unit Weight is 0.229281 oz, and the Vce on Max Vge Ic is 2.55V @ 15V, 40A, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 1200V.

Features

Tube Package
Trench Field Stop IGBT Type
1200 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 A Current - Collector (Ic) (Max)
320 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.35V @ 15V, 40A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
260 W Power - Max
5.5mJ (on), 1.4mJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
420 nC Gate Charge
140ns/360ns Td (on/off) @ 25°C
600V, 40A, 10Ohm, 15V Test Condition
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип IGBT: Полевая остановка в траншее
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 1200 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 80 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 320 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 2,35 В @ 15 В, 40 А
Максимальная мощность: 260 W
Переключение энергии: 5,5 мДж (вкл.), 1,4 мДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 420 нС
Время задержки включения/выключения при 25°C: 140ns/360ns
Условия испытаний: 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z