Свяжитесь с нами
pусский
NSV40302PDR2G

ON NSV40302PDR2G

NPN, PNP3A40V

Сравнить
onsemi
NSV40302PDR2G
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽30.06

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

NSV40301MDR2G with pin details, that includes NSS40301MD Series, they are designed to operate with a Tape & Reel (TR) Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in 8-SOIC, as well as the 653mW Power Max, the device can also be used as 2 NPN (Dual) Transistor Type. In addition, the Current Collector Ic Max is 3A, the device is offered in 40V Voltage Collector Emitter Breakdown Max, the device has a 180 @ 2A, 2V of DC Current Gain hFE Min Ic Vce, and Vce Saturation Max Ib Ic is 115mV @ 200mA, 2A, and the Current Collector Cutoff Max is 100nA (ICBO), and Frequency Transition is 100MHz.

The NSV40301MZ4T1G is Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a NSS40301 Series, Transistor Polarity is shown on datasheet note for use in a NPN.

Features

Tape & Reel (TR) Package
NPN, PNP Transistor Type
3A Current - Collector (Ic) (Max)
40V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
115mV @ 200mA, 2A Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100nA (ICBO) Current - Collector Cutoff (Max)
180 @ 1A, 2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
653mW Power - Max
100MHz Frequency - Transition
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN, PNP
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 3A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 40V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 115 мВ @ 200 мА, 2A
Ток - отключение коллектора (макс.): 100 нА (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 180 @ 1A, 2В
Максимальная мощность: 653 мВт
Частота - Переход: 100 МГц
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z