Свяжитесь с нами
pусский
NSV60601MZ4T3G

ON NSV60601MZ4T3G

NPN6 A60 V

Сравнить
onsemi
NSV60601MZ4T3G
TRANS NPN 60V 6A SOT223
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽24.70

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NSV60600MZ4T1G is TRANS PNP 60V 6A SOT223-4, that includes NSS60600 Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.006632 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-261-4, TO-261AA, as well as the Surface Mount Mounting Type, the device can also be used as SOT-223-3 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 800mW Power Max, the device has a PNP of Transistor Type, and Current Collector Ic Max is 6A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 60V, and DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 120 @ 1A, 2V, and the Vce Saturation Max Ib Ic is 350mV @ 600mA, 6A, and Current Collector Cutoff Max is 100nA (ICBO), and the Frequency Transition is 100MHz, and Pd Power Dissipation is 2 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is - 60 V, and Transistor Polarity is PNP, and the Collector Emitter Saturation Voltage is - 0.1 V, and Collector Base Voltage VCBO is - 100 V, and the Emitter Base Voltage VEBO is - 6 V, and Maximum DC Collector Current is - 12 A, and the Gain Bandwidth Product fT is 100 MHz, and DC Collector Base Gain hfe Min is 120 at - 1 A at - 2 V, and the DC Current Gain hFE Max is 360 at - 1 A at - 2 V.

The NSV60600MZ4T3G is Bipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT), that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a NSS60600 Series, Transistor Polarity is shown on datasheet note for use in a PNP.

Features

Tape & Reel (TR) Package
the DC current gain for this device is 120 @ 1A 2V
the vce saturation(Max) is 300mV @ 600mA, 6A
a transition frequency of 100MHz

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
NSV60601MZ4T3G applications of single BJT transistors.

  • Inverter
  • Interface
  • Driver
  • Muting
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 6 A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 60 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 300 мВ при 600 мА, 6 А
Ток - отключение коллектора (макс.): 100 нА (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 120 @ 1A, 2В
Максимальная мощность: 800 мВт
Частота - Переход: 100 МГц
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223 (TO-261)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z