ON NTB125N02R
N-канальный24 V95A (Ta), 120,5A (Tc)2 В @ 250 мкА1,98 Вт (Ta), 113,6 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTB125N02R
MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
NTB0104UK-Q100Z with pin details, that includes Automotive, AEC-Q100 Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Package Case is shown on datasheet note for use in a 12-UFBGA, WLCSP, it has an Operating Temperature range of -40°C ~ 125°C (TA), Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the Tri-State, Non-Inverted Output Type, the device can also be used as Auto-Direction Sensing Features. In addition, the Supplier Device Package is 12-WLCSP (1.20x1.60), the device is offered in 1 Number of Circuits, the device has a 100Mbps of Data Rate, and Translator Type is Voltage Level, and the Channel Type is Bidirectional, and Channels per Circuit is 4, and the Voltage VCCA is 1.2 V ~ 3.6 V, and Voltage VCCB is 1.65 V ~ 5.5 V.
NTB10N60 with EDA / CAD Models manufactured by MOT. The NTB10N60 is available in SOT-263 Package, is part of the IC Chips.
Features
MOSFET (Metal Oxide) TechnologyPb?Free Packages are Available
Low Ciss to Minimize Driver Loss
Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
Optimized Qgd and RDS(on) for Shoot?through Protection
Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for SynchronousOperation
Applications
Industrial
Enterprise systems
Communications equipment
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 24 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 95A (Ta), 120,5A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4,6 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 28 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3440 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,98 Вт (Ta), 113,6 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D2PAK
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET