ON NTD12N10T4G
N-канальный100 V12A (Ta)4 В @ 250 мкА1,28 Вт (Ta), 56,6 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
₽33.79
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The NTD12N10-1G is MOSFET N-CH 100V 12A IPAK manufactured by ONS. The NTD12N10-1G is available in TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 12A IPAK, N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-Pak.
The NTD12N10T4 is MOSFET N-CH 100V 12A DPAK manufactured by ONS. The NTD12N10T4 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 100V 12A DPAK, N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK-3.
Features
MOSFET (Metal Oxide) TechnologySource?to?Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
Avalanche Energy Specified
IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
Mounting Information Provided for the DPAK Package
These are Pb?Free Devices
Applications
PWM Motor Controls
Power Supplies
Converters
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 12A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 165 мОм @ 6А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 550 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,28 Вт (Ta), 56,6 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6