ON NTD25P03L1G
P-канал30 V25A (Ta)2 В @ 250 мкА75 Вт (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьNTD25P03L1G
MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
₽13.12
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.The source-to-drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
Features
Tube Packagethe avalanche energy rating (Eas) is 200 mJ
a continuous drain current (ID) of 25A
a drain-to-source breakdown voltage of -30V voltage
the turn-off delay time is 15 ns
based on its rated peak drain current 75A.
a 30V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
NTD25P03L1G applications of single MOSFETs transistors.
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 25A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 80 мОм @ 25 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 20 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±15V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1260 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: I-PAK
Упаковка / Кейс: TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23