ON NTD32N06
N-канальный60 V32A (Ta)4 В @ 250 мкА1,5 Вт (Ta), 93,75 Вт (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTD32N06
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
₽12.61
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The NTD30N02T4 is MOSFET N-CH 24V 30A DPAK manufactured by ON. The NTD30N02T4 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 24V 30A DPAK, N-Channel 24V 30A (Ta) 75W (Tj) Surface Mount DPAK-3.
NTD30N06T4G with EDA / CAD Models manufactured by ON. The NTD30N06T4G is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.
Features
MOSFET (Metal Oxide) TechnologyPb?Free Packages are Available
Smaller Package than MTB36N06V
Lower RDS(on)
Lower VDS(on)
Lower Total Gate Charge
Lower and Tighter VSD
Lower Diode Reverse Recovery Time
Lower Reverse Recovery Stored Charge
Applications
Power Supplies
Converters
Power Motor Controls
Bridge Circuits
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 32A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 26 мОм @ 16 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 60 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1725 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,5 Вт (Ta), 93,75 Вт (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN