Свяжитесь с нами
pусский
NTHD4401PT3

ON NTHD4401PT3

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)20V2.1A155 мОм при 2,1 А, 4,5 В1,2 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTHD4401PT3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NTHD4401PT3 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTHD4102PT3G is MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET, that includes Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a 8-SMD, Flat Lead Package Case, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in ChipFET?, as well as the 2 P-Channel (Dual) FET Type, the device can also be used as 1.1W Power Max. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 20V, the device is offered in 750pF @ 16V Input Capacitance Ciss Vds, the device has a Logic Level Gate of FET Feature, and Current Continuous Drain Id 25°C is 2.9A, and the Rds On Max Id Vgs is 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, and Vgs th Max Id is 1.5V @ 250μA, and the Gate Charge Qg Vgs is 8.6nC @ 4.5V.

The NTHD4401PT1G is MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET, that includes 2.1A Current Continuous Drain Id 25°C, they are designed to operate with a 20V Drain to Source Voltage Vdss, FET Feature is shown on datasheet note for use in a Logic Level Gate, that offers FET Type features such as 2 P-Channel (Dual), Gate Charge Qg Vgs is designed to work in 6nC @ 4.5V, as well as the 300pF @ 10V Input Capacitance Ciss Vds, the device can also be used as Surface Mount Mounting Type, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), the device is offered in 8-SMD, Flat Lead Package Case, the device has a Cut Tape (CT) of Packaging, and Power Max is 1.1W, and the Rds On Max Id Vgs is 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, and Supplier Device Package is ChipFET?, and the Vgs th Max Id is 1.2V @ 250μA.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.1A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
155mOhm @ 2.1A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
6nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.1W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
ChipFET™ Supplier Device Package
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.1A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 155 мОм при 2,1 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 300 пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 1.1W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SMD, плоский вывод
Поставщик Упаковка устройства: ChipFET™
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z