Свяжитесь с нами
pусский
NTLJD3183CZTBG

ON NTLJD3183CZTBG

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровняN- и P-каналы20V2.6A, 2.2A68 мОм @ 2A, 4,5 В1 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTLJD3183CZTBG
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽15.21

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTLJD3181PZTAG is MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a 6-WDFN Exposed Pad Package Case, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in 6-WDFN (2x2), as well as the 2 P-Channel (Dual) FET Type, the device can also be used as 710mW Power Max. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 20V, the device is offered in 450pF @ 10V Input Capacitance Ciss Vds, the device has a Logic Level Gate of FET Feature, and Current Continuous Drain Id 25°C is 2.2A, and the Rds On Max Id Vgs is 100 mOhm @ 2A, 4.5V, and Vgs th Max Id is 1V @ 250μA, and the Gate Charge Qg Vgs is 7.8nC @ 4.5V.

The NTLJD3183CZTAG is MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN, that includes 2.6A, 2.2A Current Continuous Drain Id 25°C, they are designed to operate with a 20V Drain to Source Voltage Vdss, FET Feature is shown on datasheet note for use in a Logic Level Gate, that offers FET Type features such as N and P-Channel, Gate Charge Qg Vgs is designed to work in 7nC @ 4.5V, as well as the 355pF @ 10V Input Capacitance Ciss Vds, the device can also be used as Surface Mount Mounting Type, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), the device is offered in 6-WDFN Exposed Pad Package Case, the device has a Tape & Reel (TR) of Packaging, and Power Max is 710mW, and the Rds On Max Id Vgs is 68 mOhm @ 2A, 4.5V, and Supplier Device Package is 6-WDFN (2x2), and the Vgs th Max Id is 1V @ 250μA.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.6A, 2.2A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
68mOhm @ 2A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
7nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
355pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.6A, 2.2A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 68 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 7nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 355 пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 710 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
Поставщик Упаковка устройства: 6-WDFN (2x2)
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z