ON NTLJD4116NT1G
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)30V2.5A70 мОм @ 2A, 4,5 В1 В @ 250 мкА
СравнитьNTLJD4116NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
₽19.22
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
Tape & Reel (TR) PackageROHM N-channel and P-channel MOSFETs NTLJD4116NT1G feature low on-resistance and high switching speed. It has a wide lineup from small signal MOSFETs to power MOSFETs and can be used in various applications.
Surface Mount Mounting Type
Applications
? WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal
Conduction
? 2x2 mm Footprint Same as SC?88
? Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
? 1.5 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic
Level
? Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments
? This is a Pb?Free Device
NTLJD4116NT1G Applications
? DC?DC Converters (Buck and Boost Circuits)
? Low Side Load Switch
? Optimized for Battery and Load Management Applications in
Portable Equipment such as, Cell Phones, PDA’s, Media Players, etc.
? Level Shift for High Side Load Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.5A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 70 мОм @ 2A, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,5 нК при 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 427пФ @ 15В
Максимальная мощность: 710 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-WDFN Открытая колодка
Поставщик Упаковка устройства: 6-WDFN (2x2)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC