Свяжитесь с нами
pусский
NTMD3P03R2G

ON NTMD3P03R2G

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)30V2.34A85 мОм @ 3,05 А, 10 В2,5 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTMD3P03R2G
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
NTMD3P03R2G Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽51.09

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.34A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85mOhm @ 3.05A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
25nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
750pF @ 24V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type

Applications

? High Efficiency Components in a Dual SOIC?8 Package

? High Density Power MOSFET with Low RDS(on)

? Miniature SOIC?8 Surface Mount Package ? Saves Board Space

? Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery

? IDSS Specified at Elevated Temperature

? Avalanche Energy Specified

? Mounting Information for the SOIC?8 Package is Provided

? AEC?Q101 Qualified ? NVMD3P03R2G

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant


NTMD3P03R2G    Applications


? DC?DC Converters

? Low Voltage Motor Control

? Power Management in Portable and Battery?Powered Products, i.e.:

Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular & Cordless Telephones

 

Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 2.34A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 85 мОм @ 3,05 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 750 пФ @ 24 В
Максимальная мощность: 730 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z